雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。

電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)

封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).

尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù)。

電容量: 0.0047 to 6.8μF

額定電壓: 700 to 3000 Vdc

損耗角正切:

測(cè)試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

Cr≤1.0μF， 4×10-4; Cr>1.0μF， 6×10-4

絕緣，以及無(wú)感泄放電阻;第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的;有通過(guò)印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護(hù)IGBT 安全運(yùn)行。

      母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對(duì)IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用 低電感的聚丙烯無(wú)極電容，與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管， 以及無(wú)感泄放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的；有通過(guò)印制版連接的；更有用緩沖電容模塊直接安裝在 IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護(hù)IGBT 安全運(yùn)行。